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當(dāng)帶電物體接近不帶電物體時(shí)會(huì)感應(yīng)靜電

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  人體有感覺(jué)的靜電放電電壓在30005000V之間,然而,元件發(fā)生損壞時(shí)的電壓僅幾百伏。生產(chǎn)場(chǎng)所中的靜電危害源 物體或工藝加工 人 工作服 椅子 組裝、清洗、測(cè)試 和維修區(qū) 資料或活動(dòng) 站起

  行走 操作 靜電是如何發(fā)生的?任何兩個(gè)不同材質(zhì)的物體接觸后現(xiàn)分離即可產(chǎn) 生靜電。?摩擦的實(shí)質(zhì)是一種接觸分離過(guò)程。?當(dāng)帶電物體接近不帶電物體時(shí)會(huì)感應(yīng)靜電。?大部分器件的靜電破壞電壓都在幾十至幾百伏,而在干燥的環(huán)境中人活動(dòng)所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾 千伏到幾萬(wàn)伏。為什么要

  提升靜電防護(hù)意識(shí) ?本世紀(jì)70前代以前,很多靜電問(wèn)題都是由于 人們沒(méi)有靜電意識(shí)而造成的即使現(xiàn)在也有很 多人懷疑靜電會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品造成損壞。這是因 為大多數(shù)靜電損害發(fā)生在人的感覺(jué)以下,因?yàn)?人體對(duì)靜電放電的感知電壓約為3KV,而許 多電子元件在幾百伏甚至幾十伏時(shí)就會(huì)損

  壞,通常電子器件被靜電損壞后沒(méi)有明顯的界限,把元件安裝在PCB上以后再檢測(cè),結(jié)果出現(xiàn)很 多問(wèn)題,分析也相當(dāng)困難。特別是潛在損壞,即使用精密儀器也很難測(cè)量出其性能有明顯的變化,所以很都電子工程師和設(shè)計(jì)人員都懷疑 靜電,近年但實(shí)驗(yàn)證實(shí),這種潛在損壞在一定 時(shí)間

  以后,電子產(chǎn)品的可靠性明顯下降 靜電放電造成火箭飛行失敗統(tǒng)計(jì)表 序號(hào) 123火箭名稱(chēng) 民兵I民兵I歐羅尼II飛行試驗(yàn) 代號(hào) FTM-502FTM-503F-II發(fā)射時(shí)間 196219621971高度/KM7.621.827真空度 /mmHg31639.67.94故障簡(jiǎn)況及原因 靜電放電造成制導(dǎo)計(jì)算機(jī)故障,I級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)閉前自毀,發(fā)射失敗

  靜電放電造成制導(dǎo)計(jì)算機(jī)故障,I級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)閉前自毀,發(fā)射失敗 靜電放電使制導(dǎo)計(jì)算機(jī)阻塞,姿 態(tài)失控,約一分鐘后,火箭III級(jí) 過(guò)載自毀發(fā)射失敗 電爆管橋絲和殼體之間因電弧 擊穿,II級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)自毀系統(tǒng)爆炸,發(fā)射失敗 電爆管橋絲和殼體之間因電弧 擊穿,II級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)自毀系統(tǒng)爆炸,發(fā)射失敗

  靜電放電使制導(dǎo)計(jì)算機(jī)故障后 自動(dòng)轉(zhuǎn)移到應(yīng)急后備狀態(tài) 靜電放電使制導(dǎo)計(jì)算機(jī)故障后,經(jīng)地面發(fā)射指令,修正到預(yù)定 軌道 制導(dǎo)系統(tǒng)控制器件故障,火箭 翻滾,發(fā)射失敗 ?4偵察兵 S-112196438-423.09-1.865偵察兵 大力神 IIIC大力神 IIIC德?tīng)柊?C-10C-

  141967196726178.9452823131974電子工業(yè)中靜電問(wèn)題的發(fā)生 靜電是時(shí)時(shí)刻刻到處存在但是二十 世紀(jì)4050年代很少有靜電問(wèn)題,因?yàn)槟菚r(shí)是晶體三極管和二極管,而所產(chǎn)生靜電也不如現(xiàn) 普遍存在60年代,隨著對(duì)靜電非常敏感 MOS器件的呈現(xiàn),靜電問(wèn)題也出現(xiàn)了70年代靜電問(wèn)題越來(lái)

  越來(lái)嚴(yán)重。

  當(dāng)帶電物體接近不帶電物體時(shí)會(huì)感應(yīng)靜電

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