半導(dǎo)體是常溫下界于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體、微電路和微芯片的生產(chǎn)需要在制造加工領(lǐng)域保持非常精確的條件。

半導(dǎo)體組裝或加工中使用的組件通常具有吸濕性，因此對高濕度條件高度敏感。

濕度給半導(dǎo)體生產(chǎn)帶來的不良影響：

電路點易被腐蝕

半導(dǎo)體組件的操作故障

光敏樹脂的不適當附著力

而半導(dǎo)體帶來的不當影響皆是因為空氣中水分太多，其實半導(dǎo)體合適的存放環(huán)境在20°下，半導(dǎo)體組件制造區(qū)域的相對濕度應(yīng)保持在30%。

在組裝領(lǐng)域，在半導(dǎo)體和集成電路的生產(chǎn)過程中，過多的水分對粘合工藝產(chǎn)生不利影響，并增加缺陷。光刻膠化合物被稱為光致抗蝕劑，用于屏蔽電路線用于蝕刻工藝。由于它們的吸濕性質(zhì)，容易吸收水分導(dǎo)致微觀電路線被切割或橋接，導(dǎo)致電路故障。具體表現(xiàn)在以下幾方面：

晶圓制造區(qū)：晶圓制造過程中，晶圓表面噴涂旋轉(zhuǎn)劑，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)，從而冷卻晶圓表面。這導(dǎo)致水蒸氣從晶片表面上的空氣冷凝。晶片上的額外水使顯影劑的特性發(fā)生變化。抗蝕劑還吸收了引起聚合物膨脹的水分。在30%控制相對濕度消除了晶片表面冷卻低于晶片表面周圍空氣露點的可能性，從而防止失效和損壞。

光刻室：光刻室的相對濕度條件需要保持在20%～35%之間，過多的水分會使二氧化硅大量吸收，導(dǎo)致光刻膠的不適當粘附，導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷。

更快的真空泵下降：如果濕度水平高，由于低溫蒸汽的大量負載，真空泵等低溫設(shè)備的運行速度會減慢。如果相對濕度水平可以保持在30%-35%左右，就會大大降低了批量處理速度。

設(shè)備的保護：水蒸氣或濕氣凝結(jié)在外延設(shè)備的冷卻表面上，極易腐蝕部件，導(dǎo)致操作失敗并減緩生產(chǎn)速度。

綜上所述，可以看到，半導(dǎo)體的存放條件真的是十分嚴格的，然而杭井工業(yè)除濕機可以有效地維持半導(dǎo)體制造區(qū)域所需的最嚴格的濕度條件。不管環(huán)境條件如何變化，杭井除濕機都能夠?qū)穸缺３衷诤艿偷暮愣ㄋ?，可謂是半導(dǎo)體生產(chǎn)的良好保障。

選擇杭井除濕機，半導(dǎo)體順利生產(chǎn)不是問題！